正文

生長(zhǎng)時(shí)可以保持恒溫,用控制蒸發(fā)量來(lái)控制溶液的過(guò)飽和度,得到的晶體成分均勻,生長(zhǎng)過(guò)程穩(wěn)定,利于摻雜晶體生長(zhǎng)。但是排出腐蝕溶劑,蒸發(fā)速率難控制,出現(xiàn)局部高過(guò)飽和度使晶體交叉生長(zhǎng)。已用于制備倍頻晶體1.iTi()2和壓電晶體Li,SH2。